شرکت Micron، سازنده تراشههای حافظه، تولید انبوه نسخه بتا تراشههای حافظه دستیابی مستقیم پویا با مصرف انرژی کمتر (DRAM) را در کارخانه خود در هیروشیما ژاپن آغاز کرد؛ این تراشهها به طور گسترده در مراکز داده، رایانه های شخصی و سایر دستگاه ها استفاده می شوند.
سفیر ایالات متحده در ژاپن، رام امانوئل، و مقامات ژاپنی در مراسمی در هیروشیما به مناسبت آغاز تولید این تراشهها شرکت کردند و بر اهمیت سیاسی فزاینده نیمه هادیها برای دو متحد تاکید کردند.
DRAM علامت اختصاری (Dynamic Random Access Memory) و یا حافظه دستیابی مستقیم پویا است، نوعی نیمههادی است که در RAM و GPU ها (کارت گرافیک) وجود دارد. این حافظه، بیت دادهها را در خازن قرار گرفته در یک مدار مجتمع، دستهبندی و ذخیره میکند و بر خلاف (SRAM (Static Random Access Memory و یا حافظه دستیابی مستقیم ایستا، بهمنظور نگهداری داده نیاز به بازیابی دورهای دارد؛ زیرا خازن موجود در آن بهمرور زمان شارژ خود را از دست میدهد. بهدلیل نیاز به بازیابی دادهها، این حافظهها را حافظه فرار نیز نامیدهاند. DRAM ها با وجود هزینه پایینتر نسبت به SRAM ها از قابلیت بالاتری برای ذخیرهسازی دادههای بیشتر برخوردارند و عمدتاً بهعنوان حافظه اصلی در کامپیوترهای شخصی مورد استفاده قرار میگیرند. البته تجهیزات شامل DRAM به نسبت سایر انواع، انرژی بیشتری مصرف میکنند، دسترسی دادهها به آنها بیشتر طول میکشد و به عبارتی کندتر هستند.
اما این بار Micron اعلام کرد که تولید نمونههایی از پیشرفتهترین تراشه DRAM خود را بر اساس LPDDR5X، سرعت انتقال داده 5 برابر و دو برابر کم مصرفتر از رمهای قبلی را آغاز کرده است. تولید پیشرفته ترین تراشه Micron که میتواند یک سوم بیشتر از تراشه های قدیمی اطلاعات را ذخیره کند، در حالی صورت می گیرد که ژاپن تلاش میکند صنعت تراشه های قدرتمند خود را احیا و مدرن کند.
آخرین تراشه DRAM با استفاده از پیشرفته ترین فناوری ساخت Micron ساخته شده است که به آن 1-بتا گفته میشود. این شرکت تراشه LPDDR5X DRAM خود را که با فناوری 1-آلفا تولید میکرد، گفت که تراشه 1-بتا جدید 15 درصد بازده انرژی بهتری نسبت به نسخه قدیمیتر خود دارد و همچنین 35 درصد در تعداد بیتهای ذخیرهشده در هر واحد بهبود یافته است. ساخت تراشه به گونه ای تکامل یافته است که ترانزیستورهای بیشتری را بر روی یک ناحیه از سیلیکون قرار می دهد، که هزینه ذخیره سازی حافظه و مصرف انرژی را کاهش داده است.
Micron گفت که میتواند بدون استفاده از ابزارهای لیتوگرافی گرانقیمت فرابنفش یا EUV که در جدیدترین تراشههای پردازنده در گوشیهای هوشمند سطح بالا استفاده میشود، به فناوری ساخت 1-بتا دست یابد.
Thy Tran، معاون یکپارچهسازی فرآیند DRAM در Micron، گفت که DRAM جدید ابتدا در کارخانه Micron در هیروشیما، ژاپن و بعداً در سایر سایتهای تولیدی از جمله تایوان با حجم بالا تولید خواهد شد.
امانوئل سفیر ایالات متحده در ژاپن در توییتر خود گفت که راه اندازی روز چهارشنبه نمونه ای از چگونگی تعهد دو کشور به تقویت زنجیره تامین نیمه هادیها و امنیت ملی با همکاری یک دیگر بوده است.
توکیو نگران است که افزایش تجارت بین ایالات متحده و چین باعث کمبود نیمه هادی های مورد نیاز خودروسازان و سایر تولیدکنندگان این کشور شود. دولت ژاپن در ماه سپتامبر به Micron مبلغ 46.5 میلیارد ین برای افزایش ظرفیت تولید در کارخانه خود پیشنهاد داد؛ این در حالی است که در ماه ژوئیه، یارانه 93 میلیارد ین به سازندگان تراشه های حافظه رقیب Kioxia و Western Digital برای کمک به توسعه تولید در کارخانه مشترک خود در ژاپن داده است.